产品亮点
- 基材： 半导体级各向同性石墨，ρ= 1.80 g cm3，灰分≤20 ppm，晶粒尺寸<5 µm。
- CVD β-SiC 层： 50–200 µm，3-C 结构，密度 3.2 g cm3，金属杂质≤5 ppm（Na、K、Fe 各<0.1 ppm）。
- 表面光洁度： Ra ≤0.3 µm（涂层状态）；最终抛光可达 ≤0.05 µm。
- 热循环额定值： 在 25℃ 至 1,400℃ 之间运行 190–250 次，无剥落或失重超过 5%。
华熔一体化路线优势
• 端到端的内部控制
净化、精密加工、CVD镀膜、计量在8万平方米的单一园区内完成；消除了由多供应商交接造成的批次间差异。
• 专有的CVD 炉设计
自建反应器可容纳巨型固定装置（直径最大 1.2 m），同时保持 ±5 µm 的厚度均匀性和“无接触点”支架，防止阴影缺陷并将下游颗粒计数减少 30% 以上。
• 1,000/10,000级洁净室
涂层、检验和包装在层流下进行；确保零件满足 300 mm 外延线每片晶圆通过率<10 个颗粒 @ 0.2 µm 的要求。
• 全面的表征套件
内部 XRD、SEM/EDS、ICP-MS、热冲击装置和氧化炉可对每批次的晶相、化学计量、密度、弯曲强度 (150 MPa) 和热冲击寿命（≥190 次循环）进行全面验证；每批货物均附有证书。
• 成本和交货时间杠杆
垂直整合加上本地供应链将典型的 12 周 CVD-SiC 交付时间缩短至 4-6 周，并且与美国/欧盟来源相比，COO 降低了约 25%，且不影响纯度或循环寿命。
技术参数
华熔 水电解 碳化硅涂层产品数据表
范围 | 单元 | 数据 |
晶体结构 | / | 3碳化硅 |
堆积密度 | 克/立方厘米 | 3.2 |
涂层厚度 | 微米 | 定制 |
杂质含量 | 百万分之一 | ≤5 |
厚度均匀度 | 微米 | ±5 |
粗糙度 | 微米 | ≤3.0 |
抗弯强度 | 兆帕 | 150 |
弹性模量 | GPa | 300 |
热冲击循环 | 跑步 | 190-250 |
经过现场验证的应用
• Si epi： 用于300 mm 反应器的36 槽基座—1,150℃ 时晶圆T 均匀性±1 nm，将epi 载流子寿命延长至>200 µs。
• SiC Epi： 单晶圆和多晶圆载体可承受 1,650℃、100 mbar H2 环境温度；重涂前运行 200 次，符合 200 毫米 SiC 功率器件工厂的长运行要求。
• MOCVD (LED)： 18 片和 36 片行星支架可保持袋平面度<10 µm，从而使高亮度 GaN 的波长均匀性 σ<1 nm。
• 离子注入和RTP： 束孔、边缘环和快速斜坡基座可承受1 kW cm⁻² 瞬时负载，每100 小时侵蚀<0.5 µm，与裸石墨相比，颗粒生成和金属剂量减少一半。
• 太阳能、航空航天和核能： 定制加热器、坩埚和坩埚支架受益于涂层在1,200℃空气中100小时后氧化增重<1 mg cm²。
通过将超纯 CVD-SiC 表皮与可加工的高导电性石墨芯熔合，并通过在同一屋檐下控制每个关键步骤，华熔技术提供的 碳化硅涂层产品可延长工具正常运行时间、收紧工艺窗口并满足 3 nm 以下节点的污染预算，所有这些都可以缩短交货时间并降低成本。
