产品优势
• 自有原材料，品质优良
• 专有的涂层和净化技术
• 全谱加工操作和全面的质量控制措施
技术参数
华熔半导体石墨原材料数据表
存货单位 | 密度 | 电阻率 | 弯曲强度 | 抗压强度 | 肖氏硬度 | 导热系数 | 热膨胀系数 (室温~600℃） | 孔隙率 |
克/立方厘米 | μΩ·m | 兆帕 | 兆帕 | HSD | 瓦/(米·K) | x10-6/℃ | % |
HA09 | 1.91 | 9.9 | 46 | 105 | 61 | 123 | 4.6 | 10 |
HA11 | 1.86 | 9.3 | 38.3 | 75.5 | 44 | 128 | 4.4 | 10 |
HA12 | 1.93 | 9.9 | 56 | 110 | 64 | 137 | 5.7 | 8.7 |
HA13 | 1.79 | 12 | 26.1 | 64.8 | 42.9 | 117 | 4.2 | 12 |
HA13+ | 1.78 | 8.8 | 55 | 75 | 45 | 135 | 3.6 | 13 |
HA14 | 1.88 | 14 | 68.6 | 115.7 | 63.9 | 90 | 5 | 8.6 |
HA15 | 1.87 | 12.7 | 58 | 117 | 62 | 120 | 4.8 | 11 |
HA16 | 1.77 | 9.1 | 46 | 67 | 35.6 | 130 | 4.15 | 18 |
产品特点
- 超高纯度（≥99.999 %）保证晶体生长过程中的污染小。
- 受控的粒径 (1–5 µm) 可确保涂料和填料的批次间均匀性和稳定的流变性。
- 固有的层状晶体结构具有出色的面内电导率（∼2×10⁴ S m⁻1）和导热率（∼100–120 W m⁻1 K⁻1）。
- 密度为 2.09–2.23 g cm⁻³，莫氏硬度为 1–2，可制造重量轻、易于加工且具有严格尺寸公差的部件。
技术优势
- 熔点 >3 650 °C 以及对 HF、HNO₃ 和大多数等离子体化学物质的惰性可确保在极端的半导体工艺环境中提供可靠的性能。
- 低热膨胀系数（20–200 °C 时<3×10⁻⁶ K⁻1）可大幅度减少光刻和外延夹具中热引起的变形。
- 均质、各向同性的合成微观结构消除了天然石墨杂质，使总灰分含量低于 5 ppm，并且基座加热的电阻率一致。
- 可定制的表面化学物质（SiC、热解碳或抗氧化涂层）可延长 CVD、离子注入和蚀刻室的使用寿命。
具体应用
- 晶体生长： 直拉 (Si) 和 PVT (SiC) 炉的坩埚、加热器和隔热罩。
- 外延和 CVD： SiC 涂层基座为 Si 和 SiC 外延层提供均匀的温度分布。
- 等离子蚀刻： 高纯度电极和环产生稳定的等离子前沿，减少颗粒产生。
- 离子注入： 石墨孔径和束线组件可在高剂量率下抵抗溅射侵蚀。
- 晶圆加工： 用于高温退火的刚性托盘和舟皿，确保基板支撑不变形。
这些属性使半导体级石墨成为先进节点（≤5 nm）、功率器件和高亮度 LED 的有利材料，其中污染控制、热精度和化学耐久性是关键任务。
